Skocz do zawartości
IGNORED

Parowanie tranzystorów


cudak10

Rekomendowane odpowiedzi

Witam!!!

Dzisiaj próbowałem parować tranzystory BF245 według schematu poniżej. Miałem 10szt BF245 i wszystkie miały 13,68-13,72V. Jak duży może być rozrzut?? Trafiły mi się takie dobre trany, czy może coś źle robię??

Ukryta Zawartość

    Zaloguj się, aby zobaczyć treść.
Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

Ukryta Zawartość

    Zaloguj się, aby zobaczyć treść.
Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )
Odnośnik do komentarza
https://www.audiostereo.pl/topic/46318-parowanie-tranzystor%C3%B3w/
Udostępnij na innych stronach

>> witek_z

>> 19 Paź 2008, 21:58 OBRAZEK

 

A opis do niego (nie mój-kiedyś skądś zapisałem na dysku):

 

Po tym jak skompletujesz układy, musisz je przetestować. Możesz rozważać przeprowadzanie mnóstwa testów na swoich tranzystorach, ale tylko jeden ze sprawdzianów będzie naprawdę miarodajny: pomiar napięcia bramka ? źródło w funkcji prądu. najwięcej różnic znajduje się w tym miejscu i konieczne jest dobieranie elementów, aby uzyskać odpowiednią jakość całej konstrukcji. Test pokaże także, czy element jest uszkodzony, czy nie.

Test jest prosty i wymaga źródła zasilania, rezystora i miernika prądu stałego. Rysunek 12 pokazuje układ testowy dla tranzystora z kanałem N i P. Rezystancja źródła zasilania jest stała, wyznaczana poprzez rezystor R1, obliczany ze wzoru: I=(V-4)/R1. Jest to najważniejsza rzecz w całym układzie. Napięcie zasilania wynosi 15[V], napięcie Vgs zostało ustalone na 4[V], spadek napięcia na rezystorze to 11[V].

Szukamy tak dobranych do siebie tranzystorów MOSFET jak to jest tylko możliwe przy prądzie 5[mA]. W tym teście używamy rezystora R1 o wartości 2.2[kOhm]. Mierzymy napięcie pomiędzy bramką, a źródłem. Następnie przepisz je na kawałek taśmy samoprzylepnej i naklej na tranzystor. Uważaj na ładunki elektrostatyczne, które mogą uszkodzić delikatne elementy. Dotknij uziemienia, zanim dotkniesz części.

Dobieranie tranzystorów MOSFET jest bardzo ważne, ponieważ muszą one dzielić dokładnie 10[mA] ze źródła prądowego i nie będą tego robić, dopóki ich Vgs nie zostanie odpowiednio ze sobą dobrane. Przy prądzie 5[mA] mają oporność około 15[Ohm]. Reasumując, chcemy, aby dzieliły ze sobą prąd 2[mA]. Napięcie Vgs będzie następujące. Używając wzoru V=I*R, widzimy, że V=0.002*15, co daje 30[mV]. Napięcie Vgs musi być zatem równe 30[mV] dla prądu 5[mA]. Dobieranie jest właściwe tylko dla współpracującej ze sobą pary tranzystorów. Nie dobiera się elementów z kanałem N do elementów z kanałem P, ani elementów pracującym na innym kanale wzmacniacza.

Jeżeli nie możesz znaleźć elementów pasujących do siebie przy prądzie 30[mA], musisz zmienić rezystancje źródła zasilającego, aby zaszła jakaś zmiana. Rezystancja ta jest obliczana z różnicy dwóch napięć Vgs podzielonych przez 5[mA]. Dla przykładu. Jeżeli różnica napięć jest równa 100[mA], to 0.1/0.005=20[Ohm]. Powinieneś umieścić rezystor 20[Ohm] aby uzyskać niższe napięcie Vgs.

Używamy tego samego układu testowego dla tranzystorów w obudowach TO-220, ale przy wyższym prądzie (20[mA]), zatem użyjemy rezystora 560[Ohm]. Parowanie nie jest potrzebne dla tych elementów, więc sprawdzimy tylko, czy napięcie Vgs zawiera się w przedziale 4-4.6[V].

Zmierzymy teraz napięcie Vgs przy prądzie 170[mA]. Taki prąd uzyska się za pomocą jednego rezystora 56[Ohm]/2[W] lub dwóch rezystorów 100[Ohm]/1[W] połączonych równolegle. Szukamy sensownego pogrupowania dwóch grup tranzystorów, po 12 w każdej. Kanały N i P.

Napięcia naszego układu testowego dały następujący rozrzut:

kanał N kanał P

Min. Vgs 4[V] 3,79[v]

Max. Vgs 4,57[V] 4,15[V]

Śr. Vgs 4,42[V] 4,01[V]

 

Mierzymy także transkonduktancje dla wyższego prądu (0.5[A]). Po to, aby sprawdzić jaki rozrzut wartości będziemy mieli. Najniższą zmierzoną wartością było 1.19, a najwyższą 1.59. Wartość średnia wynosi 1.35. Posługując się charakterystykami pracy wzmacniacza każdy element będzie przewodził prąd na poziomie 1.3A. Dla 12 elementów połączonych równolegle będzie to prąd 15A.

Przyczepiając rezystor 1[Ohm] do źródła każdego z tranzystorów, możemy się dostosować do szerokiego wachlarza napięć Vgs reprezentowanych przez te tranzystory. W klasie A będziemy operować prądem 200[mA]/element, co daje 0.2[V] spadku na każdym rezystorze. Rozrzut Vgs może sprawić, że prąd może zostać źle rozdysponowany na poszczególne elementy. Na przykład element o Vgs równym 4.6[V] połączony z elementem o Vgs równym 4.5[V]. Pierwszy będzie pracował przy 160[mA]/6[W], a drugi około 240[mA]/9[W].

Należy pamiętać, że każdy z tych elementów może odprowadzić do 75[W] przy zimnym radiatorze i 50[W] na gorącym. My zmusiliśmy je do procy z mocą tylko 8[W], więc nie ucierpią z powodu zbyt małej ilości odprowadzanego ciepła. Niemniej jednak zawsze chcemy wiedzieć w jaki sposób w jaki sposób obciążenie jest dzielone na elementy. Dobieranie z różnicą 0.2[V] jest do przyjęcia, 0.1[V] jest jeszcze lepsze. Z grupy 150 tranzystorów bez problemu można dobrać grupę 12 sztuk z różnicą 0.1[V] przy prądzie 200[mA].

 

Autor: Nelson Pass

Tłumaczył: Michał

Rysunki do przetłumaczonego artykułu znajdują się w oryginale.

 

Ukryta Zawartość

    Zaloguj się, aby zobaczyć treść.
Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

Ukryta Zawartość

    Zaloguj się, aby zobaczyć treść.
Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

No i w sumie chodzi mu o JFET-a to chyba co innego niż MOS-FET.

W tym coś piszą o ich pomiarze:

Ukryta Zawartość

    Zaloguj się, aby zobaczyć treść.
Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

 

A poza tym tematem :) jeszcze:

post-20643-100003195 1224450904_thumb.gif

post-20643-100003196 1224450904_thumb.gif

Ukryta Zawartość

    Zaloguj się, aby zobaczyć treść.
Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

Ukryta Zawartość

    Zaloguj się, aby zobaczyć treść.
Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

Ukryta Zawartość

    Zaloguj się, aby zobaczyć treść.
Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

W ten sposób, to dobierajcie sobie diody do mostków prostowniczych (ciekawe, czy ktoś to robi), a nie tranzystory.

Megadeth - A House Divided  🤘SENJUTSU🤘  α  Ω  β  λ  μ  ∅  ½  ²  €  $  π  Ⅵ Ⅵ Ⅵ  TWOYASTARA OF DEATH 

terminus, 20 Paź 2008, 20:16

 

>W ten sposób, to dobierajcie sobie diody do mostków prostowniczych (ciekawe, czy ktoś to robi), a

>nie tranzystory.

A mozna sie dowiedziec w jaki sposob Ty mierzysz/parujesz jfety?

 

IRFP244 jest mosfetem duzej mocy wiec nic dziwnego, ze przy pomiarze napiecie baterii siada.

Spadek napiecia na rezystorze R1 bedzie zalezny od grupy Idss jfeta.

 

Ukryta Zawartość

    Zaloguj się, aby zobaczyć treść.
Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

Ukryta Zawartość

    Zaloguj się, aby zobaczyć treść.
Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

 

Przy doborze R1= 100 omow i Vsupply= +15V spadek napiecia dla obu typow powinien sie miescic w przedziale 0.2-2.5V.

 

Przy dobrze sparowanych jfetach roznica powinna byc oczywiscie jak najmniejsza. Trudno cos dokladniej napisac bez znajomosci topologii ukladu w ktorym te jfety beda uzyte.

Ukryta Zawartość

    Zaloguj się, aby zobaczyć treść.
Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

Ukryta Zawartość

    Zaloguj się, aby zobaczyć treść.
Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

jeszcze schemat

Ukryta Zawartość

    Zaloguj się, aby zobaczyć treść.
Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

Ukryta Zawartość

    Zaloguj się, aby zobaczyć treść.
Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

Zastosowano dosyc ciekawa jednostopniowa topologie nazywana 'current mirror ota'.

Przypomina w zachowaniu stopien kaskodowy ale nie odwraca sygnalu na wyjsciu.

Wydaje mi sie, ze T1 i T2 z powodzeniem powinno byc mozna wymienic na 2sk170gr.

Zrodel pradowych T7 i T8 na bf245b raczej bym nie ruszal.

Sprobowalbym zwiekszyc tak zwany OLG przez zmniejszenie rezystora R6 i odpowiednie zmniejszenie rezystancji R7||(P1+R10). Sprobowalbym takze zwiekszyc wartosc rezystora R8 lub go w ogole nie montowac.

T1 i T2 powinny byc parowane a takze i T7 i T8.

  • 2 tygodnie później...

Parowałem sobie tranzystory BF245 i przy zasilaniu 12V 1A napięcie pokazuje około 1V. Napięcie cały czas spada, zauważyłem że to wina temperatury bo po dotknieciu tranzystora czymś zimnym napięcie znowu rośnie. W związku z tym mam pytanie czy napięcie około 1V przy 12V zasilaniu jest prawidłowe i czy pomiar spisać od razu czy poczekać chwilę jak się tranzystor nagrzeje.

Ukryta Zawartość

    Zaloguj się, aby zobaczyć treść.
Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

Ukryta Zawartość

    Zaloguj się, aby zobaczyć treść.
Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

Pomiar będzie miał sens jedynie wtedy gdy dla każdego tranzystora sczytasz wartość napięcia w tej samej temperaturze obudowy. Może spróbuj jakiś radiator, albo skoryguj wartość rezystora?

Na pierwszej stronie noty katalogowej bf245 znajdziesz prady drain'u przy zerowym napieciu gate.

Jak widac prad dla jfetow z grupy -B (BF245B) powinien miescic sie w przedziale 6-15mA.

Po przeliczeniu (I = 1V / 100 omow) otrzymales prad rowny 10mA.

Miesci sie w przedziale czyli wszystko jest w porzadku.

Ukryta Zawartość

    Zaloguj się, aby zobaczyć treść.
Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

Ukryta Zawartość

    Zaloguj się, aby zobaczyć treść.
Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

Dokładnie jak powyżej i sprawdź po jakim czasie następuje stabilizacja temperatury pracy (zobaczysz na woltomierzu czy nie zachodzą zmiany). Poza tym nie używałbym baterii tylko dobry stabilizowany zasilacz (gdyby miał funkcje ograniczania prądu to byłoby idealnie). Po wyłączeniu zasilacza poczekaj aż napięcie na woltomierzu zejdzie do zera i wkładaj następny tran. Co do radiatora to stosuj regułę 5 sekund - jeżeli dasz radę wytrzymać 5 sekund dotykając palcem trana to go raczej nie potrzeba.

Powtarzalność pomiaru uzyskasz tylko wtedy, kiedy jego warunki będą takie same - bateria może ich nie zapewnić.

  • 11 miesięcy później...

Prubowałem parować te cholerne tranzystory bf245b za pomocą prostownika i schematu podanego wyżej nie wiem jakim cudem cudak10 mial 1v bo ja mam z 12v zasilania 10,88v na tranzystorze,czy to jest normalne ? napiecie stoi nic nie spada.

Witam,

cudak10 miał 1v bo mierzył napięcie na rezystorze, a nie na tranzystorze...

Ty masz 12V-10,88=1,12 V

po przeliczeniu jw

I=U/R = 1,12/100=11,2mA

czyli to tranzystor z grupy B

pozdr, wk

cos zle podlaczyles albo rezystor ma nie 100om tylko 100kom czy jakas inna duza wartosc, choc tez nie wiem czy fet moze sie tak nasycic.

Tranzystory polowe sa starszne jesli chodzi o powtazalnosc parametrow dlatego uklad powinien byc na to ''odporny''.

  • Pokaż nowe odpowiedzi
  • Zarchiwizowany

    Ten temat przebywa obecnie w archiwum. Dodawanie nowych odpowiedzi zostało zablokowane.



    • Ostatnio przeglądający   0 użytkowników

      • Brak zarejestrowanych użytkowników przeglądających tę stronę.
    • Biuletyn

      Chcesz być na bieżąco ze wszystkimi naszymi najnowszymi wiadomościami i informacjami?
      Zapisz się
    • KONTO PREMIUM


    • Ostatnio dodane opinie o sprzęcie

      Ostatnio dodane opinie o albumach

    • Najnowsze wpisy na blogu

    ×
    ×
    • Dodaj nową pozycję...

                      wykrzyknik.png

    Wykryto oprogramowanie blokujące typu AdBlock!
     

    Nasza strona utrzymuje się dzięki wyświetlanym reklamom.
    Reklamy są związane tematycznie ze stroną i nie są uciążliwe. 

     

    Nie przeszkadzają podczas czytania oraz nie wymagają dodatkowych akcji aby je zamykać.

     

    Prosimy wyłącz rozszerzenie AdBlock lub oprogramowanie blokujące, podczas przeglądania strony.

    Zarejestrowani użytkownicy + mogą wyłączyć ten komunikat oraz na ukrycie połowy reklam wyświetlanych na forum.